с дырочной проводимостью

См. также в других словарях:

• Диэлектрическая электроника —         область физики, занимающаяся исследованием и практическим применением явлений, связанных с протеканием электрических токов в диэлектриках (См. Диэлектрики). Концентрация электронов проводимости (См. Электрон проводимости) или каких либо… …   Большая советская энциклопедия

• Электронно-дырочный переход — (p n переход)         область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из n области… …   Большая советская энциклопедия

• Полупроводник — (Semiconductor) Определение полупроводника, строение полупроводников и принцип действия Информация об определении полупроводника, строение полупроводников и принцип действия Содержание Содержание 1. Исторические 2. Свойства 3. Строение… …   Энциклопедия инвестора

• Детектор (устройство в радиоприёмнике) — Схематическое изображение полупроводникового детектора (штриховкой выделена чувствительная область): n полупроводник с электронной проводимостью; p полупроводник с дырочной проводимостью; Ge германий, имеющий собственную проводимость (i); V… …   Иллюстрированный энциклопедический словарь

• ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ИНДУКЦИЯ — возникновение электрич. поля, электрич. тока или электрич. поляризации при изменении во времени магн. поля или при движении материальных сред в магн. поле. Различают два типа эффектов Э. и. Один из них состоит в наведении вихревого электрич. поля …   Физическая энциклопедия

• Ганна эффект —         явление генерации высокочастотных колебаний электрического тока j в полупроводнике, у которого объемная Вольтамперная характеристика имеет N образный вид (рис. 1). Эффект был обнаружен впервые американским физиком Дж. Ганном (J. Gunn) в… …   Большая советская энциклопедия

• ГАННА ЭФФЕКТ — генерация ВЧ колебаний электрич. тока в полупроводнике с N образнои вольт амперной характеристикой (рис. 1). Г. э. обнаружен амер. физиком Дж. Ганном (J. Gunn; 1963) в кристалле GaAs с электронной проводимостью. Генерация возникает, если пост.… …   Физическая энциклопедия

• ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ — дозированное введение в полупроводник примесей или структурных дефектов с целью изменения их электрич. свойств. Наиб. распространено примесное Л. п. Электрич. свойства легированных полупроводников зависят от природы и концентрации вводимых… …   Физическая энциклопедия

• КРЕМНИЙ — (Silicium) Si, химический элемент IV гр. периодич. системы, ат. н. 14, ат. м. 28,0855. Состоит из трех стабильных изотопов 28Si (92,27%), 29Si (4,68%) и 30Si (3,05%). Поперечное сечение захвата тепловых нейтронов 1,3.10 29 м 2. Конфигурация внеш …   Химическая энциклопедия

• кремний — я; м. [от греч. krēmnos утёс, скала] Химический элемент (Si), тёмно серые с металлическим блеском кристаллы которого входят в состав большинства горных пород. ◁ Кремниевый, ая, ое. К ые соли. Кремнистый (см. 2.К.; 1 зн.). * * * кремний (лат.… …   Энциклопедический словарь

• Si — Кремний/Silicium (Si) Атомный номер 14 Внешний вид простого вещества В аморфной форме коричневый порошок, в кристаллической тёмно серый, слегка блестящий Свойства атома Атомная масса (молярная масса …   Википедия